１２英寸直拉单晶硅在宁波研制成功等

特大规模集成电路用１２英寸直拉单晶硅日前在宁波保税区研制成功。

超大规模集成电路的发展对基础材料硅的科学研究和技术进步提出了新的挑战，在今后１０年中，１２英寸单晶硅和集成电路是微电子工业的发展方向。

在浙江大学硅材料国家重点实验室、海纳半导体公司和宁波立立电子股份有限公司共同努力下，１２英寸直拉单晶硅在保税区研制成功，对提高我国现有硅晶片的质量和科技含量、满足国内外市场需求、推动中国半导体产业发展具有重要意义。

氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定

８月２９日，氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。

鉴定委员会一致认为，中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司联合开发的蓝光发光二极管解决了从外延材料到器件工艺的关键技术，已申请并被受理了４项发明专利，产品已得到了市场的认可，其器件性能达到国际先进水平。

这项技术的发展对推动我国蓝光ＬＥＤ产业化的实施有重要意义。

响应式可弯曲高分子液晶材料研制成功

从复旦大学获悉，该校留日博士俞燕蕾日前在新型高分子液晶材料的开发和研究方面取得了重大进展，率先研制出响应式可弯曲的高分子液晶材料。

高分子液晶材料是目前的热门领域，但将其运用于光能与机械能转化的研究近年来刚刚起步。随着机器人、人工肌肉等研究领域的发展，具有弯曲形变能力的高分子液晶材料受到越来越多的关注，然而世界上现有的该类材料大都集中于电致弯曲，一直没有形变速度快的光响应式可弯曲材料。

俞燕蕾经过一系列的实验研究，成功研制出光响应式的可弯曲材料，并且可以使其沿着任意的方向进行反复卷曲，而薄膜不会出现疲劳现象。

ＴＣＬ研制成功绿色健康显示器

全球首台能净化空气的负氧离子显示器已经由ＴＣＬ显示器事业部研发所研制成功并成功投放市场，这是负离子发生技术首次应用于显示器产品，标志着我国显示器行业对该项技术应用的新突破，国家专利局已受理了ＴＣＬ的专利申请。

传统彩显的高压会使空气中正离子含量增加，使人们感觉不适。ＴＣＬ在ＭＦ７０９显示器内部特别设计了供负离子发生器的１２Ｖ供电电路，功耗低，安全可靠，并且负离子发生器功能与显示画面可以互相独立工作。ＭＦ７０９产生负离子的碳纤维毛刷头可增加放电面积，保证人体安全。

ＭＦ７０９采用了具有国际先进水平的负氧离子自主专利技术和新一代显像技术，具有环保、健康、高带宽、高亮度、高清晰度、功能人性化等特点。

珠海南科将巨资建华南首条微电子生产线

近日，珠海南科集团董事长吴纬国在广东省半导体行业协会成立大会上宣布，将投资１．８６亿美元，在广州科学城建华南首条微电子生产线。

南科集团在科学城将主要设立单晶硅及８英寸集成电路生产项目，首期产量每月３万片，计划２００４年底前投产。南科集团选择了广州，是因为广州科学城的地理环境、交通环境、人力资源环境及最重要的市场环境等方面，都是其他城市无法比拟的。此外，华南地区半导体市场巨大，仅广州每年的芯片消费量就占到全国的２３以上。

广州市常务副市长林元和表示，南科集团在科学城的项目，实现了广州集成电路制造业零的突破。市委、市政府将创造一切条件，促进广州半导体产业的发展。

我国量子点研究取得新突破量子点激光器制出

我国研究人员开展的自组织生长量子点研究已获得一系列国际领先的科研发现，达到国际先进水平。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长封松林介绍说，在通常情况下，块状材料中的电子能朝前后、左右、上下做自由三维运行，而封松林研究的量子点，则是上下、前后、左右３个方向都受到约束，不能自由运动的电子。

封松林等人通过研究，掌握了波长在８００ｎｍ～１３００ｎｍ范围内控制激光器波长的有效方法，并制作出了室温连续激射的量子点激光器。这些研究成果将对医学、军事、通讯等领域产生重大的影响。他们还发现了量子点的双模生长模式，在国际上首次证实了砷化铟和砷化镓量子点界面应力造成的能带变化等有重要意义的研究结果。

法国成功获得非散射激光束

法国里昂克劳德·贝尔纳大学的一个物理学家小组成功地使一束激光穿过了云雾层，而且不发生散射现象。这次实验的成功使得人类在任何时刻都可以运用激光穿过大气中的云层实现远程通讯传输，为激光技术的更广泛运用提供了可能。

由于空气或是细小的水滴都能使光线发生散射，导致激光束在大气中很快就会消失，使传统的激光技术在应用中有很大的局限性。研究人员运用特殊的飞秒脉冲激光器，形成了能穿过云层的超细激光束。

该项实验的成功，为人类在大气中利用激光技术提供了新思路，为实现远程激光通讯奠定了基础。

美制成单原子激光器 能够产生更有序的光束

美国科学家已制成单原子小型激光器。据报道，这种新型器件可比传统多原子激光器产生更有序的光束。

由加州理工学院基姆波尔等人设计的这种激光器，是由光子空腔中的单一冷铯原子构成的。以前试图制造的小激光器均是采用少量原子束来发射光。虽然总的来说整个系统几乎不会受到其中任何一个原子的影响，但随着激光器尺寸小型化，量子波动效应成为影响激光器输出的控制因素。而基姆波尔等人仅用一个原子制成激光器，能使发射的光子束更有序。

《自然》杂志发表评论性文章说，在量子科技的未来发展中，单原子激光器可能用作调控量子信息的线路元件。

亚太半导体市场需求强劲

亚太地区半导体市场今后几年需求强劲。专家预测，今年亚太半导体市场规模可望达到６７０亿美元，比去年增长１４％；明年的销售额将上升到８６０亿美元，比今年增长２８％；后年销售额增长幅度预计也超过２０％。

中国的大陆和台湾地区以及韩国的半导体需求增长最强劲，是带动亚太半导体产业景气反弹的主要原因。中国大陆的半导体市场约占亚太的４０％。未来５年，中国大陆仍将是亚太地区最大的半导体市场。今年中国大陆的半导体销售额约３００亿美元，比去年增长２０％；明年估计将维持今年的增长率。今年全球的半导体销售额预计为１７３０亿美元，比去年增长１１％。

大唐获ＡＲＭ授权推首款国产ＳＣＤＭＡ处理器芯片

大唐电信近日宣布，已经获得ＡＲＭ９４６Ｅ（ＴＭ）微处理器核心的授权。此次授权协议中，大唐还购得了用于先进的片上系统（ＳｏＣ）调试的ＡＲＭ ｄｄｅｄＴｒａｃｅＭａｃｒｏｃｅｌｌ（ＥＴＭ９）技术方案授权。

大唐电信表示，基于ＡＲＭ９４６Ｅ核心开发的ＳＣＤＭＡ基频讯号处理器晶片将于明年第一季度推出，它将是中国第一个具有自主知识产权的无线基频讯号处理器芯片。大唐电信科技产业集团高层称，“大唐电信的目标是为中国市场开发强大、多媒体的电信设备，这将把ＳＣＤＭＡ设备推向中国乃至全球无线技术领域的最前端。透过ＡＲＭ（Ｒ）晶圆计划（ＡＲＭ（Ｒ）Ｆｏｕｎｄｒｙ Ｐｒｏｇｒａｍ）获得的ＡＲＭ９４６Ｅ核心的授权为我们提供了使用先进ＡＲＭ微处理器技术的权利，并将进而为中国消费者带来先进的无线应用。”ＡＲＭ Ｃｈｉｎａ公司表示，ＡＲＭ技术一直被公认是当前ＧＳＭ、ＣＤＭＡ及其他无线网络领域首选的微处理器解决方案，对该领域而言，以低成本实现高性能极为关键。ＡＲＭ将提供几项即时、高性能的基频核心，如ＡＲＭ９４６Ｅ核心，及一项高性能的应用处理器，如ＡＲＭ９２６ＥＪ－Ｓ（ＴＭ）核心，这将带来一系列最新的高级多媒体设备。

美国专家打造立体芯片

美国一科研小组９月４日宣布，他们正在开发芯片内部互联新技术，有望研制出体积更小、速度更快、成本更低廉的三维芯片。

他们首先将芯片层有效地粘接在一起，然后采用目前芯片业标准的“波形花纹”加工工艺来制造三维芯片，包括干法刻蚀钻孔，填充标准铜材料，以及用微细的铜线连接芯片层等步骤。而且，三维芯片中每一层的设计还可以根据用户的特定要求来进行。

目前的芯片制造是在二维平面上将一定数量的晶体管与内部连线进行集成。而美国雷斯莱尔研究中心的研究人员采用了新思路，在三维空间里，将一层一层的芯片部件按垂直方向堆起来，并利用新的互联技术连接，形成三维芯片，或称“芯片包”。研究人员说，这样制成的三维芯片将可能突破目前二维芯片晶体管集成数量极限的限制，而且将显著地提高芯片的性能与功效。未来装有三维芯片的计算机也有望变得容量更大、运算速度更快。

科学家研制出微米管状晶体

美国佐治亚理工学院教授王中林与上海交通大学的同事合作，发明了一种名为莫来石的微米管状晶体结构，在高分辨透射电镜下观察，这种晶体具有完整单一的结构和特定的生长方向，管四壁原子级平滑，没有发现任何线缺陷或面缺陷。他们的论文作为封面文章发表在９月４日出版的《先进材料》期刊上。

王中林说，这种莫来石管状晶体具有很好的物理及化学稳定性，同时强度也很高。利用其均匀管状的连通性，可以设计特殊的微量给药器件或微反应器。此外矩形管的典型尺寸，在可见光的波长范围内（４００μｍ～８００μｍ），可以设计出微米量级的光波导器件。当然，也可以利用这种管状晶体作模板，合成其它一维纳米材料，以及作为复合组元，制备高性能复合材料。

微芯拟斥资５千万～７千万美元在华建封装测试厂

据悉，全球最大汽车与家电用的８位元芯片制造商微芯科技公司（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）近日表示，正认真考虑在中国设立造价５０００万美元～７０００万美元的工厂。其他考虑设厂的国家还包括泰国、菲律宾、印度和越南。

如果选择中国，微芯科技将追随摩托罗拉、ＩＢＭ和英特尔的脚步，可能成为最新一家在中国新设立封装测试厂的大型半导体制造商。英特尔最近宣布，将于成都建造一座３．７５亿美元的工厂。

微芯科技执行长桑吉在香港接受路透财经专访时表示，该公司有意在亚洲设置新的封测厂，并将在“未来几个月”内决定地点。

该公司在上海已经有１座９年的合资封装测试中心，泰国还有一座规模更大的中心。微芯科技在截至３月底的会计年度，营业收为６．５１亿美元。

桑吉表示，设厂对中国有一定的好处。他还表示，目前中国是该公司仅次于美国的第二大市场，约占其营业收入的１３％。

日本计划用不同原子量的硅制造新型元件

日本大阪市立大学研究生院理学系教授谷垣胜己和日本庆应大学理工学院物理信息工学专业副教授伊藤公平，日前证实了以４６个硅原子（Ｓｉ）为骨架的纳米团簇分子（硅簇）表现出的超导特性源于ＢＣＳ结构。这项研究成果可用来分离原子量分别为２８、２９和３０的硅原子。谷垣和伊藤今后将以半导体产业的主要材料硅为基础，通过利用原子量的差异，着手开发超导临界温度（Ｔｃ）较高的超导元件和基于核自旋（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｓｐｉｎ）的量子元件。

自然界存在的硅，９２．２％原子量为２８，剩下的７．８％原子量为２９和３０。此次完全分离了２８Ｓｉ（原子量为２８的硅）、２９Ｓｉ和３０Ｓｉ，并分离使用２８Ｓｉ和３０Ｓｉ，合成了由４６个硅原子和８个钡原子（Ｂａ）组成的Ｂａ８Ｓｉ４６多结晶粉末。

今后，谷垣和伊藤将通过把硅原子量不同的多面体网络结构物相组合，开发基于硅的新型元件。谷垣将进行新型超导元件的开发。另外，伊藤准备通过将具有核自旋的２９Ｓｉ和不具有核自旋的２８Ｓｉ及３０Ｓｉ相组合，推进量子计算机的开发。此次的超导研究成果已经刊登在９月１４日发行的英国科学杂志《自然材料》上。